非晶硅與低溫多晶硅的區(qū)別

據(jù)中國(guó)太陽(yáng)能網(wǎng)報(bào)道，低溫多晶硅LTPS是Low Temperature PloySilicon的縮寫，一般情況下低溫多晶硅的制程溫度應(yīng)低于攝氏600度，尤其對(duì)LTPS區(qū)別于a-Si制造的制造程序“激光退火”(laseranneal)要求更是如此。與a-Si相比，LTPS的電子移動(dòng)速度要比a-Si快100倍，這個(gè)特點(diǎn)可以解釋兩個(gè)問(wèn)題：首先，每個(gè)LTPSPANEL都比a-Si PANEL反應(yīng)速度快；其次，LTPS PANEL外觀尺寸都比a-SiPANEL小。下面是LTPS與a-Si相比所持有的顯著優(yōu)點(diǎn)：1、把驅(qū)動(dòng)IC的外圍電路集成到面板基板上的可行性更強(qiáng)；2、反應(yīng)速度更快，外觀尺寸更小，聯(lián)結(jié)和組件更少；3、面板系統(tǒng)設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單；4、面板的穩(wěn)定性更強(qiáng)；5、解析度更高，

　　激光退火：

　　p-Si與a-Si的顯著區(qū)別是LTPSTFT在制造過(guò)程中應(yīng)用了激光照射。LTPS制造過(guò)程中在a-Si層上進(jìn)行了激光照射以使a-Si結(jié)晶。由于封裝過(guò)程中要在基板上完成多晶硅的轉(zhuǎn)化，LTPS必須利用激光的能量把非結(jié)晶硅轉(zhuǎn)化成多晶硅，這個(gè)過(guò)程叫做激光照射。

　　電子移動(dòng)性：

　　a-SiTFT的電子移動(dòng)速率低于1 cm2/V.sec，同時(shí)驅(qū)動(dòng)IC需要較高的運(yùn)算速率來(lái)驅(qū)動(dòng)電路。這就是為什么a-SiTFT不易將驅(qū)動(dòng)IC集成到基板上。相比之下，p-Si電子的移動(dòng)速率可以達(dá)到100cm2/V.sec，同時(shí)也更容易將驅(qū)動(dòng)IC集成到基板上。結(jié)果是，首先由于將驅(qū)動(dòng)IC、PCB和聯(lián)結(jié)器集成到基板上而降低了生產(chǎn)成本，其次使產(chǎn)品重量更輕、厚度更薄。

　　解析度：

　　由于p-SiTFT比傳統(tǒng)的a-Si小，所以解析度可以更高。

　　穩(wěn)定性：

　　p-SiTFT的驅(qū)動(dòng)IC合成在玻璃基板上有兩點(diǎn)好處：首先，與玻璃基板相連接的連接器數(shù)量減少，模塊的制造成本降低；其次，模塊的穩(wěn)定性將得以戲劇性的升高。